Intel zmenšil tranzistory na čipu o 30 procent

Společnost Intel dosáhla významného mezníku při přípravě výroby čipů nové generace. Podařilo se jí vyrobit světově nejvyspělejší 65nm (nanometrovou) technologií plně funkční 70megabitový paměťový čip SRAM (static random access memory) s více než půl miliardou paměťových buněk.

Tranzistory vyráběné novou 65nm (nanometr je jedna miliardtina metru) výrobní technologií mají hradla (přepínače stavu procesoru) dlouhá 35 nm, což je zhruba o 30 procent méně, než tomu bylo u předchozí 90nm technologie.

„Pětašedesátinanometrová výrobní technologie společnosti Intel má naprosto špičkovou hustotu, výkon a funkce úspory energie. Umožní výrobu čipů s většími schopnostmi a výkonem,“ řekl Sunlin Chou, senior viceprezident a generální ředitel Technology and Manufacturing Group společnosti Intel. „Podle současných plánů bude 65nm technologie Intel zavedena v roce 2005, přesně podle Moorova zákona.“ Zakladatel Intelu Gordon Moore v 60. letech předpověděl, že se množství tranzistorů na čipu zdvojnásobí zhruba každé dva roky. Intel by nyní 65nm technologií mohl na 1 čtvereční milimetru umístit 10 milionů tranzistorů. To umožňuje rozšíření funkcí a navýšení výkonu při současném snížení ceny za jeden tranzistor.

Jak se však tranzistory zmenšují, stává se jejich napájení a odvod tepla stále obtížnějším. Je proto nanejvýš důležité zavést nové funkce, techniky a struktury, které umožní pokračování procesu miniaturizace. Společnost Intel tuto problematiku řeší u nové 65nm technologie integrací funkcí úspory energie. „Ty budou pro vývoj nových energeticky efektivních výpočetních a komunikačních produktů naprosto nezbytné,“ zdůrazňuje Intel.

– das –

Článek je uveřejněn ve spolupráci se serverem Svět hospodářství.